半導體晶圓之銅墊處理方法
李英杰
李英杰

本發明提供一種半導體晶圓之銅墊處理方法,其包含:提供一晶圓,其表面具有數個銅墊;在該晶圓之表面形成一金屬薄層,以電性連接所有該銅墊;在該金屬薄層上形成一錫層;形成一光阻層於該錫層上,並圖案化該光阻層,以形成數個開口裸露該銅墊以外之區域上的錫層;去除未受該光阻層遮蔽之錫層及金屬薄層;以及,去除該光阻層。上述錫層之鍍法可選自電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍或印刷。本發明提供一種半導體晶圓之銅墊處理方法,其係在一晶圓上暫時全面性形成一金屬薄層,並選擇利用電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍或印刷之方式形成一錫層於銅墊上方,進而簡化凸塊製程/構造及降低製程成本。並在一晶圓之銅墊表面上方形成一緊密結合之錫層,以便直接做為小尺寸之凸塊,進而增加凸塊結合強度、降低凸塊間距及提高凸塊佈局密度,以利選擇進一步結合無鉛銲料之凸塊,進而提供無鉛覆晶技術及符合環保法規無鉛標準。

Categories: Patent  /   Invention Patent  /  
Year2011
AuthorLu Wei-Hua, Lee Ying-Chieh
Author count2
Created date2008-03-10
CountryDomestic
Patent typeInvention patent
Patent statusApproved
Technology report audit completion date2016/12/20
Applicant / Owner盧威華
Applicant / Owner type
Patent register start date2008/03/10
Patent availability start date2011/12/21
Patent availability end date2028/03/09
Patent register ID097108391
Patent Certificate NoI355037
LanguageChinese
Npust IDIP-97-005
Note
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