半導體封裝件之晶片替換方法
李英杰
李英杰

一種半導體封裝件之晶片替換方法,其主要包含下列步驟:首先,提供一半導體封裝件,該半導體封裝件係包含有一基板、至少一第一晶片及一第一底部填充膠,該具有複數個第一凸塊之第一晶片係電性連接於該基板,該第一底部填充膠係形成於該基板與該第一晶片之間以包覆該些第一凸塊;接著,移除該第一晶片並顯露該些第一凸塊及該第一底部填充膠;之後,設置一第二晶片於該基板上,該第二晶片之複數個第二凸塊係結合於該些第一凸塊,最後,可進行一回銲步驟,使該些第二凸塊與該些第一凸塊熔融為一體,並形成一第二底部填充膠於該基板與該第二晶片之間以至少包覆該些第二凸塊。本發明之主要目的在於提供一種半導體晶圓之銅墊表面處理方法,其係在一晶圓上暫時全面性形成一金屬薄層,並選擇利用電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍或印刷之方式形成一錫層於銅墊上方,進而簡化凸塊製程/構造及降低製程成本。並在一晶圓之銅墊表面上方形成一緊密結合之錫層,以便直接做為小尺寸之凸塊,進而增加凸塊結合強度、降低凸塊間距及提高凸塊佈局密度,以利選擇進一步結合無鉛銲料之凸塊,進而提供無鉛覆晶技術及符合環保法規無鉛標準。

Categories: Patent  /   Invention Patent  /  
Year2014
AuthorLu Wei-Hua, Chen Yung-Chang, Lee Ying-Chieh
Author count3
Created date2007-12-20
CountryDomestic
Patent typeInvention patent
Patent statusApproved
Technology report audit completion date2019/02/10
Applicant / Owner盧威華
Applicant / Owner type
Patent register start date2007/12/20
Patent availability start date2014/02/11
Patent availability end date2027/12/19
Patent register ID096148854
Patent Certificate NoI426571
LanguageChinese
Npust IDIP-96-IV-053
Note
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